金属-绝缘体-半导体微电子学系统的物理基础

1 (p0-1): 目录
1 (p0-2): 第一章 在半导体衬底上生长绝缘膜
2 (p0-3): §1 半导体经氧化而形成绝缘膜的方法
19 (p0-4): §2 杂质对氧化层性质的影响
25 (p0-5): §3 制备绝缘膜的其它方法
31 (p0-6): 第二章 MIS结构参数的测量方法
31 (p0-7): §1 MIS系统的等效电路
33 (p0-8): §2 根据电容测量计算表面势和表面陷阱参数的方法
40 (p0-9): §3 基于测量横向电导G（MIS阻抗的有功分量）的方法
43 (p0-10): §4 研究表面和MIS系统的光电法
51 (p0-11): §5 热激现象法
57 (p0-12): 第三章 绝缘体-半导体系统表面绝缘层结构和电学性质研究
58 (p0-13): §1 应用电子衍射法研究表面氧化层
59 (p0-14): §2 表面氧化层的光学特性
69 (p0-15): §3 氧化物的结构——层状模型
72 (p0-16): §4 质谱法研究绝缘层结构
74 (p0-17): §5 氧化物结构和化学键的特性
77 (p0-18): §6 绝缘层结构和其电学性能的关系
87 (p0-19): §7 与氧化物内局域电荷有关的绝缘体-半导体结构的电学性质
92 (p0-20): 第四章 绝缘体-半导体双层系统界面的晶体结构和电学性质
92 (p0-21): §1 半导体-绝缘体结构的三层模型
101 (p0-22): §2 绝缘体-半导体系统界面的电学参数
113 (p0-23): §3 MIS结构表面沟道散射过程的特点
134 (p0-24): 第五章 MIS结构中的产生现象和输运过程
134 (p0-25): §1 MIS结构参数和非平衡空间电荷区特性的相互关系
138 (p0-26): §2 MIS结构中的双极产生过程
146 (p0-27): §3 硅MIS结构中双极产生过程的实验研究结果
159 (p0-28): §4 MIS结构产生和复合参数的相互关系
162 (p0-29): §5 绝缘体内的电荷输运和场产生
170 (p0-30): §6 半导体衬底内的场产生
177 (p0-31): §7 隧道谱
182 (p0-32): §8 厚绝缘层MIS结构中的隧道产生现象［动态隧道效应］
189 (p0-33): 第六章 光照对MIS系统特性的影响——光电容效应
189 (p0-34): §1 MIS系统中的光电容效应理论
205 (p0-35): §2 在硅MIS结构内光电容效应的主要规律性
212 (p0-36): §3 光电容效应法研究MIS结构中的复合和陷获过程
220 (p0-37): §4 具有非稳态耗尽层的MIS结构内的光电现象
239 (p0-38): 第七章 MIS系统电物理性质的不均匀性及确定不均匀性的方法
239 (p0-39): §1 表面电荷不均匀性的统计模型
241 (p0-40): §2 具有非均匀分布表面电荷的MIS电容器模型
242 (p0-41): §3 确定表面电荷微区不均匀性特征参数的方法
260 (p0-42): §4 表面电荷不均匀性影响MIS系统特性的实验数据
267 (p0-43): 第八章 电荷耦合器件
267 (p0-44): §1 电荷耦合器件工作的物理原理
272 (p0-45): §2 CCD的工作状态
278 (p0-46): §3 电荷损失机理
283 (p0-47): §4 CCD器件的工作特点
285 (p0-48): §5 不同类型的CCD集成电路
294 (p0-49): 第九章 MIS和绝缘体-半导体结构的器件和组件
294 (p0-50): §1 表面变容器
309 (p0-51): §2 MIS和绝缘体-半导体光敏器件
316 (p0-52): §3 绝缘栅MIS场效应晶体管
329 (p0-53): 参考文献